Главная новость
Broadcom VideoCore III - нет предела совершенству

Компания Broadcom Corp. сообщила о выпуске прототипа нового мультимедийного процессора Broadcom VideoCore III, который позволит мобильным телефонам и медиа-плейерам снимать и воспроизводить видео более высокой четкости и разрешения.
Ноутбук Xtreme 917V (изображение с сайта XtremeNotebooks)
Ноутбук Xtreme 917V снабжен процессором с четырьмя ядрами

Сверхмощный портативный компьютер может комплектоваться двумя видеокартами, а также тремя жесткими дисками или твердотельными накопителями на основе флэш-памяти.
Схема процессора UltraSPARC T2
Sun представила процессор UltraSPARC T2

По заявлениям разработчиков, новый чип, ранее известный под кодовым названием Niagara 2, на сегодняшний день является самым производительным процессором в мире.
Сравнительное тестирование быстродействия серверных процессоров (изображение с сайта AMD)
AMD обнародовала результаты тестирования Barcelona

Согласно представленным данным, четырехъядерный процессор Barcelona с частотой 2,6 ГГц практически вдвое быстрее чипа Opteron 2222 SE, работающего на частоте 3,0 ГГц.
Сервер на базе процессоров Power6 (фото IBM)
IBM представила процессоры Power6

Кроме того, корпорация анонсировала сверхмощный вычислительный комплекс на базе нового чипа, работающего на тактовой частоте 4,7 ГГц.

 

Toshiba присоединилась к промышленной группе для освоения 32-нм техпроцесса

19.12.2007 10:30 - категория: Железо: Процессоры - Источник: compulenta.ru

Компания Toshiba намерена присоединиться к инициативе группы компаний, возглавляемой корпорацией IBM, по разработке чипов по нормам 32-нм техпроцесса. В альянс разработчиков уже входят компании AMD, Samsung Electronics, Chartered Semiconductor, Infineon Technologies и Freescale Semiconductor, сообщает Reuters. Ранее Toshiba заключила партнерское соглашение с компанией NEC для сотрудничества в той же области.

На днях стало известно, что IBM вплотную приблизилась к созданию чипов по нормам 32-нм техпроцесса, представив технологию, позволяющую сократить утечку энергии из транзисторов, а также существенно уменьшить размеры микросхем. Этого удалось добиться благодаря применению в полупроводниковых транзисторах диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью high-k. Предполагается, что применение вместо традиционного диоксида кремния нового материала (при той же толщине слоя) позволит уменьшить утечку в 100 или более раз. Другое достоинство high-k диэлектрика заключается в том, что его можно наращивать, регулируя толщину слоя с точностью до молекулы.

По словам представителей IBM, первые чипы, изготовленные по 32-нм техпроцессу, появятся на рынке уже в первой половине 2009 года. Об этом говорится в совместном заявлении IBM, AMD, Chartered Semiconductor, Freescale, Infineon и Samsung. В IBM отмечают, что новая технология позволит компании выпустить процессоры, размеры которых сократятся на 50%, по сравнению с нынешними моделями, выполненными по 45-нм техпроцессу. При этом энергопотребление сократится на 45%.

Добавить комментарий
Имя: 
E-Mail: 
Комментарий: 
Введите код: