Главная новость
Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5

По заявлениям разработчиков, новые чипы обеспечивают максимальную на сегодняшний день пропускную способность, достигающую 6 Гбит/с.
Модули памяти PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition (изображение с сайта OCZ)
OCZ представила первые модули памяти с поддержкой XMP

Технология XMP, поддержка которой реализована в наборе системной логики Intel X38, упрощает процесс разгона памяти.
Чип памяти moviMCP (изображение с сайта Samsung)
Samsung создала встраиваемый чип памяти емкостью в 4 Гб

Новинка, предназначенная для использования в мобильных телефонах, как ожидается, станет альтернативой слотам для сменных флэш-карт памяти.
Модуль OCZ DDR2 PC2-8500 (изображение X-bit labs)
В новых модулях памяти OCZ используются тепловые трубки

Модули OCZ DDR2 PC2-8500 с пожизненной гарантией поставляются в комплекте из двух штук суммарным объемом в 2 Гб.
Микрочипы памяти Samsung (фотография производителя)
Samsung разработала новые микрочипы памяти Mobile DRAM

Представленная микросхема, произведенная по 80-нанометровой технологии, имеет емкость 1 Гбит и предназначена для использования в портативных устройствах.

 

Создан микрочип памяти Mobile DRAM емкостью в 1 Гб

14.08.2007 12:03 - категория: Железо: Оперативная память - Источник: compulenta.ru

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor разработала новый микрочип памяти Mobile DRAM емкостью в 1 Гб.

Как сообщает Korea Times, чип работает на частоте до 200 МГц и рассчитан на использование, в первую очередь, в мобильных телефонах. По заявлениям Hynix Semiconductor, новая микросхема на сегодняшний день является самой компактной и быстродействующей среди всех аналогичных решений. Скорость обработки информации достигает 1,6 Гб/с. Массовое производство чипов, как ожидается, будет организовано в начале следующего года.

Между тем, Hynix Semiconductor обнародовала отчет о результатах деятельности во втором квартале 2007 финансового года (окончился 30 июня). Согласно представленным данным, выручка компании в период с апреля по июнь включительно составила 1,87 триллиона вон (приблизительно два миллиарда долларов США). Это на 24% ниже аналогичного показателя за первый квартал текущего года, однако на 12% выше выручки, полученной компанией Hynix Semiconductor во втором квартале 2006 финансового года. Чистая прибыль Hynix Semiconductor за отчетный период составила 225 миллиардов вон (около 242 миллионов долларов США).

Компания Hynix Semiconductor в настоящее время занимает вторую строку списка крупнейших производителей микросхем памяти. Лидирует в соответствующем сегменте южнокорейская Samsung Electronics. Замыкает тройку лидеров немецкая компания Qimonda.

Добавить комментарий
Имя: 
E-Mail: 
Комментарий: 
Введите код: