Главная новость
Модули памяти PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition (изображение с сайта OCZ)
OCZ представила первые модули памяти с поддержкой XMP

Технология XMP, поддержка которой реализована в наборе системной логики Intel X38, упрощает процесс разгона памяти.
Чип памяти moviMCP (изображение с сайта Samsung)
Samsung создала встраиваемый чип памяти емкостью в 4 Гб

Новинка, предназначенная для использования в мобильных телефонах, как ожидается, станет альтернативой слотам для сменных флэш-карт памяти.
Модуль OCZ DDR2 PC2-8500 (изображение X-bit labs)
В новых модулях памяти OCZ используются тепловые трубки

Модули OCZ DDR2 PC2-8500 с пожизненной гарантией поставляются в комплекте из двух штук суммарным объемом в 2 Гб.
Микрочипы памяти Samsung (фотография производителя)
Samsung разработала новые микрочипы памяти Mobile DRAM

Представленная микросхема, произведенная по 80-нанометровой технологии, имеет емкость 1 Гбит и предназначена для использования в портативных устройствах.
Чипы памяти Elpida (изображение с сайта производителя)
Elpida начала производство памяти по 70-нанометровой технологии

Новые модули памяти DDR2 SDRAM емкостью в 1 Гбит и 512 Мбит способны работать на частотах от 800 МГц до 1000 МГц.

 

Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5

05.12.2007 09:55 - категория: Железо: Оперативная память - Источник: compulenta.ru

Южнокорейская компания Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5 (Graphics Double-Data-Rate 5).

Микрочипы памяти GDDR5 (изображение Samsung)
Микрочипы памяти GDDR5 (изображение Samsung)

По заявлениям разработчиков, представленные чипы обеспечивают максимальную на сегодняшний день пропускную способность, достигающую 6 Гбит/с. Это, как отмечается, в четыре раза выше быстродействия графической памяти, применяющейся в современных игровых приставках.

Первые микросхемы памяти GDDR5 компании Samsung имеют плотность 512 Мбит (32 чипа по 16 Мбит каждый). Таким образом, пропускная способность всей микросхемы в целом может достигать 24 Гб/с. Модули Samsung GDDR5 работают при напряжении питания в полтора вольта. При этом Samsung подчеркивает, что энергопотребление микросхем примерно на 20% ниже энергопотребления распространенных сейчас модулей GDDR3.

Первые образцы микросхем памяти GDDR5 компании Samsung были отправлены производителям графических контроллеров в прошлом месяце. Массовое производство GDDR5 планируется организовать в первой половине будущего года. Ожидается, что с течением времени память GDDR5 станет стандартом де факто для высокопроизводительных систем. Так, по оценкам аналитиков, к 2010 году память GDDR5 будет использоваться в более чем половине графических решений класса high-end.

Добавить комментарий
Имя: 
E-Mail: 
Комментарий: 
Введите код: