Главная новость
Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5

По заявлениям разработчиков, новые чипы обеспечивают максимальную на сегодняшний день пропускную способность, достигающую 6 Гбит/с.
Модули памяти PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition (изображение с сайта OCZ)
OCZ представила первые модули памяти с поддержкой XMP

Технология XMP, поддержка которой реализована в наборе системной логики Intel X38, упрощает процесс разгона памяти.
Чип памяти moviMCP (изображение с сайта Samsung)
Samsung создала встраиваемый чип памяти емкостью в 4 Гб

Новинка, предназначенная для использования в мобильных телефонах, как ожидается, станет альтернативой слотам для сменных флэш-карт памяти.
Модуль OCZ DDR2 PC2-8500 (изображение X-bit labs)
В новых модулях памяти OCZ используются тепловые трубки

Модули OCZ DDR2 PC2-8500 с пожизненной гарантией поставляются в комплекте из двух штук суммарным объемом в 2 Гб.
Микрочипы памяти Samsung (фотография производителя)
Samsung разработала новые микрочипы памяти Mobile DRAM

Представленная микросхема, произведенная по 80-нанометровой технологии, имеет емкость 1 Гбит и предназначена для использования в портативных устройствах.

 

Intel и Micron начали выпуск передовых микрочипов памяти NAND

26.04.2007 14:42 - категория: Железо: Оперативная память - Источник: compulenta.ru

Компании Intel и Micron сообщили о достижении очередных успехов в сфере разработки и производства микрочипов флэш-памяти NAND.

В ноябре 2005 года Intel и Micron, напомним, сформировали совместное предприятие IM Flash Technologies, специализирующееся на технологиях изготовления памяти NAND. На создание новой компании Micron и Intel выделили по 1,2 миллиарда долларов США. При этом Micron получила 51% акций совместного предприятия, а Intel - оставшиеся 49% ценных бумаг.

Как теперь сообщается, предприятие IM Flash Technologies начало пробные поставки передовых микрочипов NAND, выполненных по 50-нанометровой технологии с применением методики многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC). Емкость микрочипов составляет 16 Гбит.

Предполагается, что новые микрочипы флэш-памяти NAND будут использоваться в цифровых фотоаппаратах, МР3-плеерах, сменных накопителях и портативных коммуникационных устройствах. В перспективе Intel и Micron намерены организовать производство флэш-памяти NAND с применением усовершенствованного техпроцесса с нормами менее 40 нанометров.

Стоит добавить, что в ближайшее время Intel планирует начать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM). Модули PRAM, обладающие высоким быстродействием и большим сроком службы, будут позиционироваться в качестве альтернативы широко распространенной флэш-памяти NOR.

Добавить комментарий
Имя: 
E-Mail: 
Комментарий: 
Введите код: