Главная новость

Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5

По заявлениям разработчиков, новые чипы обеспечивают максимальную на сегодняшний день пропускную способность, достигающую 6 Гбит/с.

Модули памяти PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition (изображение с сайта OCZ)

OCZ представила первые модули памяти с поддержкой XMP

Технология XMP, поддержка которой реализована в наборе системной логики Intel X38, упрощает процесс разгона памяти.

Чип памяти moviMCP (изображение с сайта Samsung)

Samsung создала встраиваемый чип памяти емкостью в 4 Гб

Новинка, предназначенная для использования в мобильных телефонах, как ожидается, станет альтернативой слотам для сменных флэш-карт памяти.

Модуль OCZ DDR2 PC2-8500 (изображение X-bit labs)

В новых модулях памяти OCZ используются тепловые трубки

Модули OCZ DDR2 PC2-8500 с пожизненной гарантией поставляются в комплекте из двух штук суммарным объемом в 2 Гб.

Микрочипы памяти Samsung (фотография производителя)

Samsung разработала новые микрочипы памяти Mobile DRAM

Представленная микросхема, произведенная по 80-нанометровой технологии, имеет емкость 1 Гбит и предназначена для использования в портативных устройствах.

Hynix создаст самый быстрый модуль памяти

06.12.2006 18:03 - категория: Железо: Оперативная память - Источник: mobil itnews.com.ua

Южнокорейская компания Hynix заявила о своем намерении создать самый компактный и быстрый в мире модуль оперативной памяти в 512 Мбит, который будет предназначен для мобильных телефонов.

Скорость обработки данных новым модулем Hynix должно будет превысить показатель предыдущих разработок для мобильников, что составит 1,6 гигабайт в секунду.