AMD рада модернизации SOI памяти

Александр Фомин
Разработчик перспективной технологии памяти с «плавающим телом», компания Innovative Silicon Inc. (ISi), недавно представила усовершенствованную версию своего предмета исследований, которая на порядок улучшила характеристики по смене значения ячейки и времени удержания данных. Одним из значимых приобретателей лицензии на технологию Z-RAM первой версии стала AMD, сделка состоялась в декабре 2005 года. Сообщается, что компания немедля обзавелась лицензией и на второе поколение Z-RAM.

Технологию Z-RAM можно использовать при производстве чипов с использованием способа кремний-на-изоляторе (silicon-on-insulator, SOI). Она позволяет отказаться от применения привычного конденсатора в ячейке памяти DRAM. При обычном производстве КМОП заряд, который формирует тело транзистора, привязан к фиксированному значению напряжения. При использовании SOI тело транзистора «отвязывается» и «плавает» в кремнии над толстым оксидным слоем. Чтобы управлять «плаванием» тела транзистора в нужном русле, а именно, чтобы он играл роль конденсатора, требуется осторожное управление напряжением по обеим его сторонам.

Для использующих SOI компаний при производстве высокопроизводительных процессоров, таких как AMD, IBM или Freescale, указанный подход имеет несколько преимуществ: высокие показатели по времени чтения и записи; размер ячейки меньше, чем у традиционной DRAM и занимает примерно 20% от размеров 6-транзисторной SRAM. Как именно ISi удалось добиться улучшения технологии, руководство компании пока не комментирует.

Повышение производительности Z-RAM может иметь прикладное значение в различных задачах. Второе поколение технологии имеет лучшую масштабируемость и способно достигать плотности в 5 Мбит/кв.мм при 65-нм технологических нормах, и свыше 10 Мбит/кв.мм при 45-нм техпроцессе. Память имеет возможность работать на частотах до 400 МГц, а также уменьшить свое энергопотребление до 10 микроватт на 1 МГц для цели достижения минимизации этого параметра. Технология Z-RAM уже прошла обкатку на нескольких фабриках по 90-нм, 65-нм и 45-нм техпроцессам. Исследователи сообщают, что и покорение более «тонких» норм не принесет неожиданностей. По мнению Кгейга Сандера (Craig Sander), вице-президента по технологическому развитию AMD, «сочетание высокой плотности размещения, параметров энергопотребления и производительности, а также возможности работы в текущем производственном процессе AMD делает разработку ISi очень привлекательной с точки зрения ее внедрения при производстве будущих микропроцессоров». Будем надеяться, что AMD удастся реализовать инновацию в ближайшем будущем, и продукция компании усилит свою конкурентоспособность и потребительские качества.