Железо: Оперативная память
NEC разработала самую быструю память MRAM
Представленный чип энергонезависимой магниторезистивной памяти имеет емкость 1 Мбит и работает на частоте в 250 МГц. »»
Разрабатывается энергонезависимая память нового типа
Компании IBM и TDK рассчитывают представить первые образцы памяти STT-RAM, выполненные по 65-нанометровой технологии, в течение четырех лет. »»
Создан микрочип памяти Mobile DRAM емкостью в 1 Гб
Массовое производство новых микросхем памяти, работающих на частоте до 200 МГц, компания Hynix Semiconductor намерена начать в следующем году. »»
Intel и Micron начали выпуск передовых микрочипов памяти NAND
Новые микросхемы памяти NAND, выполненные по методике многоуровневых ячеек, производятся по 50-нанометровой технологии и имеют емкость 16 Гбит. »»
Samsung улучшила характеристики чипов памяти GDDR4
Южнокорейская компания сообщила о разработке микросхем памяти GDDR4 с пропускной способностью до 4 Гбит/с. »»
Hynix разработала модули памяти DDR2-800 объемом в 2 Гб
По заявлениям производителя, новые чипы, изготавливающиеся с применением фирменной технологии WLP, на текущий момент являются самыми быстрыми в своем классе. »»
Elpida начала производство памяти по 70-нанометровой технологии
Новые модули памяти DDR2 SDRAM емкостью в 1 Гбит и 512 Мбит способны работать на частотах от 800 МГц до 1000 МГц. »»
Hynix создаст самый быстрый модуль памяти
Южнокорейская компания Hynix заявила о своем намерении создать самый компактный и быстрый в мире модуль оперативной памяти в 512 Мбайт »»
AMD рада модернизации SOI памяти
Разработчик перспективной технологии памяти с «плавающим телом», компания Innovative Silicon Inc. (ISi), недавно представила усовершенствованную версию своего предмета ... »»
Micro-DIMM модули от Transcend
Компания Transcend Information, Inc. расширила линейку модулей памяти Micro-DIMM »»
